Cadmium Telluride 碲化镉

CAS 1306-25-8 MFCD00015998

化学结构图

1306-25-8
SMILES: [Cd]=[Te]

化学属性

Mol. FormulaCdTe
Mol. Weight240
Boiling Point1130 °C
Density6.2 g/mL at 25 °C(lit.)
Melting Point1092 °C
SolubilityInsoluble in water and acids except HNO3 in which it is soluble with decomposition
TSCAYes
Appearance crystalline

别名和识别编码

Chemical NameCadmium Telluride
Synonym Cadmiumtelluridemetalsbasisblacklumps {uni_hamburg} cadmium tellurde Cadmium telluride Coating quality Balzers Cadmium telluride 碲化镉 Cadmium telluride,polycrystalline pieces,Puratronic Ultra-Pure irtran6 cadmiummonotelluride CADMIUM TELLURIDE COATING QUALITY BALZE& 碲化镉, 99.999% (METALS BASIS) 99.99999+%(metalsbasis) Cadmiumtelluride(99.999%-Cd)PURATREM cadmium (II) telluride Irtran 6 Cadmium telluride, 99.999% (metals basis) CADMIUM TELLURIDE Cadmium telluride, powder, <250 micron, 99.99+% metals basis Cadmium telluride, <5 micron, 99.99+% 碲化镉, 99.9999+% (METALS BASIS) cadmiumtelluride(cdte) CADMIUM TELLURIDE 99.99%-99.9999% TeCd Cadmium telluride (CdTe) Cadmiumtellurid Cadmium monotelluride Cadmium telluride,(99.999% Cd) CdTe Cadmium telluride, 99.9999+% (metals basis)
MDL NumberMFCD00015998
CAS Number1306-25-8
PubChem Substance ID24855535
EC Number215-149-9
Merck Number14,1629
Chemical Name Translation碲化镉
LabNetwork Molecule IDLN01313194
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分类

  • {SNA} Alternative Energy, Chalcogenides, Dopants, Materials Science, Metal and Ceramic Science, Phosphor Materials
  • {uni_hamburg} no charge; 2fragments; ionic
  • {SNA} Alternative Energy, Chalcogenides, Dopants, Metal and Ceramic Science, Phosphor Materials, 材料科学

产品应用

  • 光谱分析。也用于制作太阳能电池,红外调制器,HgxCdl-xTe衬底,红外窗场致发光器件,光电池,红外探测,X射线探测,核放射性探测器,接近可见光区的发光器件等。

相关文献及参考

  • Short: III/21d
  • Short: III/14b1
  • Short: III/15a
  • Merck: 14,1629

安全信息

GHS Symbol
WGK Germany3
Hazard statements
  • H332 Harmful if inhaled 吸入有害
  • H410 Verytoxictoaquaticlifewithlonglastingeffects 对水生生物毒性非常大并具有长期影响。
  • H302 Harmful if swallowed 吞食有害
  • H312 Harmful in contact with skin 皮肤接触有害
  • H302+H312+H332
Personal Protective Equipment dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
RTECSEV3330000
Precautionary statements
  • P501 Dispose of contents/container to..… 处理内容物/容器.....
  • P273 Avoid release to the environment. 避免释放到环境中。
  • P280 Wear protective gloves/protective clothing/eye protection/face protection. 戴防护手套/防护服/眼睛的保护物/面部保护物。
  • P261 Avoid breathing dust/fume/gas/mist/vapours/spray. 避免吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸汽/喷雾。
  • P304+P340+P312
  • P302+P352+P312
  • P391 Collect spillage. Hazardous to the aquatic environment 收集对水环境有危害的泄漏物。
Signal word Warning
Safety Statements
  • S22 Do not breathe dust 不要吸入粉尘;
  • S53 Avoid exposure - obtain special instructions before use 避免接触,使用前获得特别指示说明;
  • S60 This material and its container must be disposed of as hazardous waste 该物质及其容器必须作为危险废物处置;
  • S61 Avoid release to the environment. Refer to special instructions/safety data sheet 避免释放到环境中,参考特别指示/安全收据说明书;
Packing GroupIII
UN Number UN3077 UN 2570 6.1/PG 3
Risk Statements
  • R20/21/22 Harmful by inhalation, in contact with skin and if swallowed 吸入、皮肤接触和不慎吞咽有害
  • R50/53
  • R45 May cause cancer 可能致癌
Hazard Codes T,N,Xn Xn,N
Hazard Class6.1(b)
Warnings 危化品目录(2015) 危险化学品
TYPE OF TEST            : LD50 - Lethal dose, 50 percent kill
ROUTE OF EXPOSURE       : Intraperitoneal
SPECIES OBSERVED        : Rodent - mouse
DOSE/DURATION           : 2100 mg/kg
TOXIC EFFECTS :
   Behavioral - tremor
   Behavioral - changes in motor activity (specific assay)
   Nutritional and Gross Metabolic - weight loss or decreased weight gain
REFERENCE :
   GTPZAB Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya.  Labor Hygiene and
   Occupational Diseases. (V/O Mezhdunarodnaya Kniga, 113095 Moscow, USSR)
   V.1-36, 1957-1992. For publisher information, see MTPEEI
   Volume(issue)/page/year: 25(2),42,1981

TYPE OF TEST            : LD - Lethal dose
ROUTE OF EXPOSURE       : Oral
SPECIES OBSERVED        : Rodent - mouse
DOSE/DURATION           : >15 gm/kg
TOXIC EFFECTS :
   Details of toxic effects not reported other than lethal dose value
REFERENCE :
   GTPZAB Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya.  Labor Hygiene and
   Occupational Diseases. (V/O Mezhdunarodnaya Kniga, 113095 Moscow, USSR)
   V.1-36, 1957-1992. For publisher information, see MTPEEI
   Volume(issue)/page/year: 25(2),42,1981

TYPE OF TEST            : LD50 - Lethal dose, 50 percent kill
ROUTE OF EXPOSURE       : Intraperitoneal
SPECIES OBSERVED        : Rodent - rat
DOSE/DURATION           : 2820 mg/kg
TOXIC EFFECTS :
   Behavioral - tremor
   Behavioral - changes in motor activity (specific assay)
   Nutritional and Gross Metabolic - weight loss or decreased weight gain
REFERENCE :
   GTPZAB Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya.  Labor Hygiene and
   Occupational Diseases. (V/O Mezhdunarodnaya Kniga, 113095 Moscow, USSR)
   V.1-36, 1957-1992. For publisher information, see MTPEEI
   Volume(issue)/page/year: 25(2),42,1981

其他信息

  • 单晶碲化镉生长:合成好的多晶料可用垂直布里支曼法,碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm/h、3mm/h、0.2mm/h、5mm/h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法,其生长示意图如图所示。 碲化镉单晶生长示意图 1—传动机构;2—石英安瓿; 3—多段电阻炉;4—镉源;5—碲化镉多晶料;6—生长碲化镉单晶 生长碲化镉单晶较困难,其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压,因此晶体易偏离化学配比;另一个原因是镉易沾附石英安瓿。国际上称晶体断面上少于三个晶粒的晶体为单晶。碲化镉单晶可用于红外电光调制器、红外探测器、HgCdTe的衬底材料、红外窗口、常温X射线探测器、太阳能电池以及接近可见光区发光器件等。
  • 半导体材料:碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe,其晶体结构为闪锌矿型,具有直接跃迁型能带结构,晶格常数0.6481nm,熔点1092℃,密度5.766g/cm3,禁带宽度 1.5eV(25℃),能带构造为直接型,电子迁移率 (25℃) 1050cm2/(V·s),空穴迁移率(25℃) 80cm2/(V·s),电子有效质量0.096,电阻率103~ 107Ω·cm。以高纯碲和镉为原料,脱氧后合成碲化镉,再用垂直定向结晶法或垂直区熔法生长成单晶或多晶。单晶用于制作红外电光调制器、红外探测器、红外透镜和窗口、磷光体、常温γ射线探测器、太阳能电池及接近可见光区的发光器件等,碲化镉太阳能电池,较单晶硅太阳能电池有制作方便,成本低廉和重量较轻等优点。 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是重要的半导体材料,高、力学性能差
  • 可燃性危险特性:遇酸, 或潮气, 或高热放出剧毒含镉, 碲化物气体
  • Alfa Aesar:碲化镉,99.9999+%(metalsbasis) Cadmium telluride, 99.9999+% (metals basis)(1306-25-8)
  • 用途一:光谱分析。也用于制作太阳能电池,红外调制器,HgxCdl-xTe衬底,红外窗场致发光器件,光电池,红外探测,X射线探测,核放射性探测器,接近可见光区的发光器件等。
  • 外观性质:棕黑色晶体粉末。不溶于水和酸。在硝酸中分解。密度:6.20熔点:1041℃
  • 不溶于水和酸。在硝酸中分解。
  • Sigma Aldrich:1306-25-8(sigmaaldrich)
  • 灭火剂:水, 砂土
  • 毒性分级:中毒
  • 半导体材料:碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe,其晶体结构为闪锌矿型,具有直接跃迁型能带结构,晶格常数0.6481nm,熔点1092℃,密度5.766g/cm3,禁带宽度 1.5eV(25℃),能带构造为直接型,电子迁移率 (25℃) 1050cm2/(V·s),空穴迁移率(25℃) 80cm2/(V·s),电子
  • 碲镉汞:碲镉汞(CdxHg1-xTe)是由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化镉和碲化汞组成的三元固溶体半导体。它是一种窄带半导体材料,随着组分x的变化,禁带宽度和其它能带参数也发生变化。其禁带宽度Eg随温度T和组分x变化有如下经验公式:Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。 窄带半导体一般都属于能带反转型半导体。对于Cdx、Hg1-xTe,在低温下,当x值较小时,它是一种半金属或禁带宽度为零的半导体。当x增大到一定值时,CdxHg1-xTe就由半金属转变成窄带半导体,产生了能带反转(77K,x=0.15时),此时电子有效质量变小,电子迁移率增大,从而引起许多物理性质的变化。用碲镉汞制作的红外探测器具有良好的特性,特别是在波长为8~14μm的大气窗口附近,其灵敏度很高,因此它作为良好的激光接收材料而得到了较快的发展。由于碲镉汞是由熔点较高的 Ⅱ -Ⅵ族化合物组成. 在高温下、镉、汞、碲元素的蒸汽压都很高,因此从熔体中生长的碲镉汞晶体中常常产生严重的组分偏离而影响材料和器件的性能,故改善碲镉汞制备方法,提高其单晶质量仍然是一个重要的研究课题. 参考资料:冯端 主编.固体物理学大辞典.北京:高等教育出版社.1995.第213页.
  • 职业标准:TLV-TWA 0.05 毫克 (镉)/立方米; STEL 0.1 毫克 (镉)/立方米

系列性分类


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